投資界（ID：pedaily2012）2月16日消息，第三代半導體碳化硅晶片研發(fā)生產(chǎn)商天科合達完成Pre-IPO輪融資，京銘資本體系京銘鴻瑞產(chǎn)業(yè)基金、歷金銘科產(chǎn)業(yè)基金以及青島匯鑄英才產(chǎn)業(yè)基金等三支基金參與本輪融資，其他投資人包括國內(nèi)多家投資機構(gòu)。

北京天科合達半導體股份有限公司成立于2006年9月，是國內(nèi)首家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級高新技術(shù)企業(yè)。公司為全球SiC晶片的主要生產(chǎn)商之一。公司總部設(shè)在北京市大興區(qū)，目前擁有北京總部基地、北京研發(fā)中心和三家全資子公司，一家控股子公司，產(chǎn)業(yè)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。

天科合達先后申請專利60余項，已獲授權(quán)專利40余項；參與起草并正式發(fā)布國家標準4項，行業(yè)標準1項，團體標準8項。公司在導電型碳化硅單晶領(lǐng)域長期穩(wěn)居國內(nèi)第一，2021年躍居世界前四。

天科合達從2020年開始開展8英寸導電型SiC單晶襯底的研發(fā)工作，突破了8英寸晶體擴徑生長和晶片加工等關(guān)鍵技術(shù)難題，成功制備出高品質(zhì)8英寸導電型SiC單晶襯底。據(jù)天科合達相關(guān)負責人介紹，公司目前產(chǎn)能正在不斷突破，北京二期和徐州二期也在進一步規(guī)劃中，預計2025年底，6英寸有效年產(chǎn)能達到55萬片，6到8英寸，可根據(jù)實際需求進行快速產(chǎn)能切換，今后公司的國際競爭力和品牌影響力會進一步增強。

根據(jù)報告，天科合達8英寸導電型碳化硅產(chǎn)品的多項指標均處于行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平，已經(jīng)達到了量產(chǎn)標準，計劃2023年進行小批量生產(chǎn)。